• Zaloguj się
    Zaloguj się
  • Zarejestruj się
0
Koszyk
info: Twój koszyk jest pusty!

Pamięci SO-DIMM

Pamięć Kingston KVR16LS11/4 (DDR3 SO-DIMM 1 x 4 GB 1600 MHz CL11)

Indeks producenta: KVR16LS11/4
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pojemność pamięci wewnętrznej
4096 MB
Organizacja chipów
X8
Architektura pamięci
1 x 4096 MB
Wskazanie błędu
Nie
Szybkość licznika magistrali
1600 Mhz
Dostępność:

G.SKILL RIPJAWS SO-DIMM DDR4 2X16GB 2666MHZ CL18 1,20V F4-2666C18D-32GRS

Indeks producenta: F4-2666C18D-32GRS
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pamięć wewnętrzna
32 GB
Typ pamięci wewnętrznej
DDR4
Element dla
Notebook
Rodzaj pamięci
260-pin SO-DIMM
Prędkość zegara pamięci
2666 Mhz
Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x)
2 x 16 GB
Napięcie pamięci
1.2 V
Opóźnienie cas
18
Dostępność: Na zapytanie

Silicon Power SODIMM DDR4 16GB 2666MHz CL19

Indeks producenta: SP016GBSFU266F02
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pamięć wewnętrzna
16 GB
Certyfikaty
CE, FCC, Green dot, WEEE
Zgodność z RoHS
Tak
Typ pamięci wewnętrznej
DDR4
Element dla
PC/serwer
Rodzaj pamięci
260-pin SO-DIMM
Prędkość zegara pamięci
2400 Mhz
Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x)
1 x 16 GB
Napięcie pamięci
1.2 V
Opóźnienie cas
19
Kod korekcyjny
Nie
Dostępność: Na zapytanie

Pamięć G.SKILL Ripjaws F3-1600C11S-4GRSL (DDR3 SO-DIMM 1 x 4 GB 1600 MHz CL11)

Indeks producenta: F3-1600C11S-4GRSL
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pamięć wewnętrzna
4 GB
Typ pamięci wewnętrznej
DDR3
Element dla
Notebook
Prędkość zegara pamięci
1600 Mhz
Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x)
1 x 4 GB
Obsługa kanałów pamięci
Pojedyńczy
Napięcie pamięci
1.35 V
Opóźnienie cas
11
Dostępność:

G.SKILL RIPJAWS SO-DIMM DDR4 2X32GB 2666MHZ CL18 1,20V F4-2666C18D-64GRS

Indeks producenta: F4-2666C18D-64GRS
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pamięć wewnętrzna
64 GB
Typ pamięci wewnętrznej
DDR4
Element dla
Notebook
Prędkość zegara pamięci
2666 Mhz
Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x)
2 x 32 GB
Obsługa kanałów pamięci
Podwójny
Napięcie pamięci
1.2 V
Opóźnienie cas
18
Dostępność: Na zapytanie

G.SKILL RIPJAWS SO-DIMM DDR4 2X16GB 3200MHZ CL18 1,20V F4-3200C18D-32GRS

Indeks producenta: F4-3200C18D-32GRS
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pamięć wewnętrzna
32 GB
Typ pamięci wewnętrznej
DDR4
Element dla
Notebook
Rodzaj pamięci
260-pin SO-DIMM
Prędkość zegara pamięci
3200 Mhz
Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x)
2 x 16 GB
Obsługa kanałów pamięci
Dual-channel
Napięcie pamięci
1.2 V
Opóźnienie cas
16
Dostępność:

AFOX SO-DIMM DDR3 8G 1600MHZ MICRON CHIP LV 1,35V AFSD38BK1L

Indeks producenta: AFSD38BK1L
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pamięć wewnętrzna
8 GB
Typ pamięci wewnętrznej
DDR3
Element dla
Notebook
Prędkość zegara pamięci
1600 Mhz
Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x)
1 x 8 GB
Obsługa kanałów pamięci
Pojedyńczy
Napięcie pamięci
1.35 V
Dostępność: Na zapytanie

AFOX SO-DIMM DDR3 4GB 1333MHZ MICRON CHIP AFSD34AN1P

Indeks producenta: AFSD34AN1P
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pamięć wewnętrzna
4 GB
Typ pamięci wewnętrznej
DDR3
Element dla
Notebook
Prędkość zegara pamięci
1333 Mhz
Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x)
1 x 4 GB
Obsługa kanałów pamięci
Pojedyńczy
Napięcie pamięci
1.5 V
Dostępność: Na zapytanie

AFOX SO-DIMM DDR3 4G 1600MHZ MICRON CHIP LV 1,35V AFSD34BN1L

Indeks producenta: AFSD34BN1L
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pamięć wewnętrzna
4 GB
Typ pamięci wewnętrznej
DDR3
Element dla
Notebook
Prędkość zegara pamięci
1600 Mhz
Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x)
1 x 4 GB
Obsługa kanałów pamięci
Pojedyńczy
Napięcie pamięci
1.35 V
Dostępność: Na zapytanie

Zestaw pamięci Kingston HyperX HX426S15IB2K2/32 (DDR4 SO-DIMM 2 x 16 GB 2666 MHz CL15)

Indeks producenta: HX426S15IB2K2/32
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Waga kartonu zbiorczego
1,2 kg
Ilość sztuk kartonu zbiorczego
25 szt.
Szerokość kartonu zbiorczego
10,2 cm
Wysokość kartonu zbiorczego
20,3 cm
Główna długość kartonu
31,1 cm
Dostępność: Na zapytanie

Pamięć RAM G.SKILL Ripjaws F3-1600C9D-16GRSL (DDR3 SO-DIMM 2 x 8 GB 1600 MHz CL9)

Indeks producenta: F3-1600C9D-16GRSL
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pamięć wewnętrzna
16 GB
Typ pamięci wewnętrznej
DDR3
Element dla
Notebook
Prędkość zegara pamięci
1600 Mhz
Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x)
2 x 8 GB
Obsługa kanałów pamięci
Podwójny
Napięcie pamięci
1.35 V
Opóźnienie cas
9
Dostępność:

Pamięć Kingston HyperX HX316LS9IBK2/16 (DDR3 SO-DIMM 2 x 8 GB 1600 MHz CL9)

Indeks producenta: HX316LS9IBK2/16
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pojemność pamięci wewnętrznej
16384 MB
Liczba styków
204
Organizacja chipów
x8
Architektura pamięci
2 x 8192 MB
Wskazanie błędu
Nie
Szybkość licznika magistrali
1600 Mhz
Dostępność: Na zapytanie

Zestaw pamięci G.SKILL Ripjaws F3-1600C9D-8GRSL (DDR3 SO-DIMM 2 x 4 GB 1600 MHz CL9)

Indeks producenta: F3-1600C9D-8GRSL
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pamięć wewnętrzna
8 GB
Typ pamięci wewnętrznej
DDR3
Element dla
Notebook
Prędkość zegara pamięci
1600 Mhz
Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x)
2 x 4 GB
Obsługa kanałów pamięci
Dual-channel
Napięcie pamięci
1.35 V
Opóźnienie cas
9
Dostępność:

G.SKILL RIPJAWS SO-DIMM DDR4 8GB 2666MHZ CL19 1,20V F4-2666C18S-8GRS

Indeks producenta: F4-2666C18S-8GRS
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Szerokość produktu
69,6 mm
Wysokość produktu
30 mm
Dostępność: Na zapytanie

G.SKILL RIPJAWS SO-DIMM DDR4 16GB 2666MHZ CL18 1,20V F4-2666C18S-16GRS

Indeks producenta: F4-2666C18S-16GRS
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pamięć wewnętrzna
16 GB
Typ pamięci wewnętrznej
DDR4
Element dla
Notebook
Rodzaj pamięci
260-pin SO-DIMM
Prędkość zegara pamięci
2666 Mhz
Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x)
1 x 16 GB
Napięcie pamięci
1.2 V
Opóźnienie cas
18
Dostępność: Na zapytanie

AFOX SO-DIMM DDR3 8GB 1600MHZ MICRON CHIP AFSD38BK1P

Indeks producenta: AFSD38BK1P
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pamięć wewnętrzna
8 GB
Typ pamięci wewnętrznej
DDR3
Element dla
Notebook
Prędkość zegara pamięci
1600 Mhz
Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x)
1 x 8 GB
Obsługa kanałów pamięci
Pojedyńczy
Napięcie pamięci
1.5 V
Dostępność: Na zapytanie